簡介：

用途：AlN具有熱導率高、電性能好、熱膨脹系數與Si片接近、無毒性的特點，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應用于高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導體致冷等產品中做高性能基片材料和封裝材料。

特點：能提供常規AlN和金屬化的AlN基片。即在AlN表面鍍一層金屬層，其附著力在1.5-3.0之間，可焊性好。