簡介：
ＢＧＯ有多種同素異構體。其中Bi4Ge3O12為立方晶系，點群43m。熔點1050℃。在可見光、X射線、α和γ射線的激發下可產生熒光。激發光譜305nm，熒光光譜480～510nm，光輸出溫度系數-1％/℃，臨界能量10.5MeV。具有良好的閃爍性能，不吸潮、抗沖擊，易于加工，化學性能穩定，不存在因摻雜不均引起的發光強度不均勻問題。有效原子系數高，熒光衰減時間短，有利于快速計算。用提拉法或下降法在大氣氣氛下生長。為高能射線的閃爍探測材料，用于正負電子對撞機。
參數：
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鍺酸鉍
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晶向
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<001>、<110>
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尺寸
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Φ30×(0.5～50)mm
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拋光
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單面或雙面拋光
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表面粗糙度
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≤5Å
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封裝
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100級超凈袋、單片或多片晶元盒
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