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                閃爍晶體及基片
                硅酸鉍( Bi12SiO20)

                用途:BGO有多種同素異構體。其中Bi4Ge3O12為立方晶系,點群43m。熔點1050℃。在可見光、X射線、α和γ射線的激發下可產生熒光。激發光譜305nm,熒光光譜480~510nm,光輸出溫度系數-1%/℃,臨界能量10.5MeV。具有良好的閃爍性能,不吸潮、抗沖擊,易于加工,化學性能穩定,不存在因摻雜不均引起的發光強度不均勻問題。有效原子系數高,熒光衰減時間短,有利于快速計算。用提拉法或下降法在大氣氣氛下生長。為高能射線的閃爍探測材料,用于正負電子對撞機。

                參數:
                硅酸鉍
                生長方法 提拉法 
                晶體結構 立方 a=10.146A
                密度 9.2 g/cm3
                純度 99.99%
                晶向 <100>、<110>±0.5o
                尺寸 45×45mm,45×50mm 10×10×0.5mm,5×5×0.5mm
                拋光 單面或雙面拋光
                表面粗糙度 ≤5Å
                封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒



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