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                GaN薄膜單晶基片
                ScAlMgO4

                 簡介:

                     ScAlMgO4晶體是最近發展起來的一種GaN和ZnO異質外延用理想的襯底材料,是目前與GaN和ZnO晶格失配最小的新型襯底材料(GaN:1.8%, ZnO:0.09%)。a軸的熱膨脹系數為與GaN、ZnO外延薄膜之間的熱膨脹系數失配比傳統的藍寶石和硅等襯底好的多。

                參數:

                晶體結構 六方(a=3.246Å,c=25.195Å)
                純度 99.99%
                熱膨脹系數 6.2×10-6/℃ at A axis,12.2×10-6/℃ at C axis
                介電常數 ~9.4(300k) ~ 11.58(300k)
                晶向 <001>±0.5o
                尺寸 5×5×0.5mm, 10×10×0.5mm, 15×15×0.5mm, 20×20×0.5mm
                拋光 單面或雙面拋光
                表面粗糙度 ≤5Å
                封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒


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