簡介：
SiC單晶具有許多優良的性質，熱導率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強等，適合于制備高頻率、高功率、耐高溫以及耐輻照的電子器件。
參數： 晶體結構 六方（a=3.08Å，c=15.08Å） 純度 99.99% 介電常數 e(11)=e(22)=9.66 e(33)=10.33 晶向 ＜001＞±0.5o 尺寸 dia2”×0.33mm dia2”×0.43mm,15×15 mm 拋光 單面或雙面拋光 表面粗糙度 ≤5Å 封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒
