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                GaN薄膜單晶基片
                氧化鋅(ZnO)晶體及基片

                簡介:

                     氧化鋅單晶是很好的GaN薄膜襯底材料,具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料.同時由于具有可見區透明,機電耦合系數大,能使氣體分子在其表面的吸附-解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。

                參數:

                晶體結構 六方(a=3.252Å,c=5.313Å)
                純度 99.99%
                熱膨脹系數 6.5 x 10-6 /℃ at A axis, 3.7 x 10-6 /℃ at A axis
                晶向 <0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o
                尺寸 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
                拋光 單面或雙面拋光
                表面粗糙度 ≤5Å
                封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒


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