簡介：
氧化鋅單晶是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料．同時由于具有可見區透明，機電耦合系數大，能使氣體分子在其表面的吸附-解析等性質，有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。
參數：
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晶體結構
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六方(a=3.252Å,c=5.313Å)
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純度
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99.99%
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熱膨脹系數
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6.5 x 10-6 /℃ at A axis, 3.7 x 10-6 /℃ at A axis
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晶向
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<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o
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尺寸
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25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm
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拋光
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單面或雙面拋光
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表面粗糙度
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≤5Å
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封裝
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100級超凈袋、單片或多片晶元盒
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