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                III-V或II-VI化合物晶體基片
                磷化鎵(GaP)晶體及基片

                簡介:

                    生產紅、綠色LED的主要襯底材料,也是生產LED用量最大的襯底材料。 特點:可提供本征、輕摻雜、重摻雜(摻S)的單晶GaP片

                參數:

                生長方法 LEC
                晶體結構 立方
                密度 4.13g/cm3
                純度 本征、輕摻雜、重摻雜
                晶向 <111>±0.5°,或特殊方向
                尺寸 Φ50mm×(0.3~200)mm
                拋光 單面或雙面拋光
                表面粗糙度 ≤5Å
                封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒


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