簡介：
GaAs是繼Si之后研究最深入、應用最廣泛的一種新型半導體材料。它具有遷移率高、禁帶寬度大、耐高溫等特點。主要應用于高頻通訊、無線網絡及光電子領域，如LED發光器、太陽能電池板等。 特點：可提供本征、輕摻雜、重摻雜（摻Si、Cr、Fe或Zn）的單晶GaAs片
參數：
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生長方法
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LEC,HB
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晶體結構
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立方
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密度
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5.37g/cm3
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純度
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本征、輕摻雜、重摻雜
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尺寸
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Φ1″～8″×(0.25～200)mm
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拋光
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單面或雙面拋光
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表面粗糙度
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位錯密度＜105
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封裝
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100級超凈袋、單片或多片晶元盒
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