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                III-V或II-VI化合物晶體基片
                砷化鎵(GaAs)晶體及基片

                簡介:

                    GaAs是繼Si之后研究最深入、應用最廣泛的一種新型半導體材料。它具有遷移率高、禁帶寬度大、耐高溫等特點。主要應用于高頻通訊、無線網絡及光電子領域,如LED發光器、太陽能電池板等。 特點:可提供本征、輕摻雜、重摻雜(摻Si、Cr、Fe或Zn)的單晶GaAs片

                參數:

                生長方法 LEC,HB
                晶體結構 立方
                密度 5.37g/cm3
                純度 本征、輕摻雜、重摻雜
                尺寸 Φ1″~8″×(0.25~200)mm
                拋光 單面或雙面拋光
                表面粗糙度 位錯密度<105
                封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒
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