• <ruby id="l5pdt"><var id="l5pdt"></var></ruby>

      <form id="l5pdt"><span id="l5pdt"></span></form>
    1. <form id="l5pdt"></form>

        1. <em id="l5pdt"></em>
          <em id="l5pdt"></em>

                 設為首頁
                 加入收藏
                首頁 關于我們 新聞中心 設備 材料 技術服務 客戶需求 誠聘英才 聯系我們
                原位實驗設備
                高壓DAC設備
                X射線探測器及相關設備
                高低溫設備
                真空設備
                常用儀器
                實驗室基本設備
                靶材
                襯底材料
                窗口材料
                非金屬材料
                實驗樣品
                材料加工
                其他材料
                實驗室整體建設
                學術會議服務
                測試服務
                數據分析服務

                III-V或II-VI化合物晶體基片
                氧化鋅(ZnO)晶體及基片
                簡介:用途:氧化鋅單晶是很好的GaN薄膜襯底材料,具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料.同時由于具有可見區透明,機電耦合系數大,能使氣體分子在其表面的吸附-解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。 特點:可提供本征,銦和鎵摻雜的ZnO單晶基片。

                參數:
                純度 99.99%
                熱膨脹系數 6.5 x 10-6 /℃ at A axis, 3.7 x 10-6 /℃ at A axis
                晶向 <0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o
                尺寸 25×25×0.35mm、10×10×0.35mm、10×5×0.35mm、5×5×0.35mm
                拋光 單面或雙面拋光
                表面粗糙度 ≤5Å
                封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒
                表面粗糙度 ≤10Å
                封裝 100級超凈袋、單片或多片晶元盒

                關于我們 | 招聘信息| 聯系我們
                Copyright (C)i網 2004-2011,All Rights Reserved | 材料制品經營許可證 京網備0101號
                京ICP備15014375號-1
                特别黄的视频免费播放,特别黄的免费大片视频频,特别黄特别色的网站欧美大肥婆BBBWW,吃奶摸下叫床的激烈视频,国产三级视频在线观看视,电影韩国禁三级在线观看